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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IRF7807ZPBF
VGS (th) (Max) @Id | 2.25V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | 376S0339 Q2079001C Q2585122 SP001554410 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |