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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar RDN120N25
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220FN |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 210 mOhm @ 6A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 40W (Tc) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1224pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V |
Descripción detallada | N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |