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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar 2N7002E
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 350mW (Ta) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 5V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
Descripción detallada | N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 240mA (Ta) |