Lenguaje selectivo

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Haga clic en el espacio en blanco para cerrar)
CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesSI8904EDB-T2-E1
SI8904EDB-T2-E1

La etiqueta y el marcado corporal de SI8904EDB-T2-E1 se pueden proporcionar después del orden.

SI8904EDB-T2-E1

Mega fuente #: MEGA-SI8904EDB-T2-E1
Fabricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
embalaje: Tape & Reel (TR)
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Datasheet:

Nuestra certificación

RFQ rápido

Existencias disponibles: 56954

Envíe RFQ, responderemos de inmediato.
( * es obligatorio)

Cantidad

Descripción del Producto

Estamos almacenando el distribuidor de SI8904EDB-T2-E1 con un precio muy competitivo.Echa un vistazo a SI8904EDB-T2-E1 más nuevo Pirce, inventario y tiempo de liderazgo ahora usando el formulario RFQ rápido.Nuestro compromiso con la calidad y la autenticidad de SI8904EDB-T2-E1 es inquebrantable, y hemos implementado estrictos procesos de inspección y entrega de calidad para garantizar la integridad de SI8904EDB-T2-E1.También puede encontrar la hoja de datos SI8904EDB-T2-E1 aquí.

Especificaciones

Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI8904EDB-T2-E1

VGS (th) (Max) @Id 1.6V @ 250µA
Paquete del dispositivo 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs -
Potencia - Max 1W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-MICRO FOOT®CSP
Otros nombres SI8904EDB-T2-E1TR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 3.8A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A
Número de pieza base SI8904

SI8904EDB-T2-E1 Preguntas frecuentes

F¿Nuestros productos son de buena calidad?¿Hay garantía de calidad?
QNuestros productos a través de una detección estricta, para garantizar que los usuarios compren productos genuinos y seguros, si hay problemas de calidad, ¡pueden devolverse en cualquier momento!
F¿Son confiables las empresas de MEGA SOURCE?
QHemos sido establecidos durante más de 20 años, centrándonos en la industria electrónica y nos esforzamos por proporcionar a los usuarios los productos IC de mejor calidad.
F¿Qué tal el servicio posterior a la venta?
QMás de 100 equipo profesional de servicio al cliente, 7*24 horas para responder todo tipo de preguntas
F¿Es un agente?¿O un intermediario?
QMEGA SOURCE es el agente fuente, eliminando el intermediario, reduciendo el precio del producto en la mayor medida y beneficia a los clientes

20

Experiencia en la industria

100

Pedidos Calidad revisada

2000

Clientela

15,000

Almacén en stock
MegaSource Co., LTD.