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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar FD70N20PWD
VGS (th) (Max) @Id | - |
---|---|
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-3P |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | - |
La disipación de energía (máximo) | - |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-3P-3, SC-65-3 |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 70A (Ta) Through Hole TO-3P |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |