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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IXFT80N20Q
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 4mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-268 |
Serie | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 500mA, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 360W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |