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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar FQP2N60
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
Serie | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 64W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
Descripción detallada | N-Channel 600V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |