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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IPI60R165CPAKSA1
VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 790µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-TO262-3 |
Serie | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 192W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres | IPI60R165CP IPI60R165CP-ND SP000276736 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
Descripción detallada | N-Channel 650V 21A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |