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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
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Suministro de voltaje | 2.5 V ~ 3.6 V |
Tecnología | FLASH - NAND |
Serie | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Otros nombres | MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR-ND MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:BTR |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 768Gb (96G x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FLASH - NAND Memory IC 768Gb (96G x 8) Parallel 333MHz |
Frecuencia de reloj | 333MHz |