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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar QS8J2TR
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
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Paquete del dispositivo | TSMT8 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
Potencia - Max | 550mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |