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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar PDTC123ETVL
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
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Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Paquete del dispositivo | TO-236AB |
Serie | - |
Resistor - Base del emisor (R2) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres | 934054697235 |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100mA Surface Mount TO-236AB |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 1µA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |