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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar PMN55LN,135
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±15V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
Serie | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1.75W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 |
Otros nombres | 568-7425-2 934057583135 PMN55LN /T3 PMN55LN /T3-ND PMN55LN,135-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 20V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |