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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SSM3K35AMFV,L3F
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | VESM |
Serie | U-MOSIII |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SOT-723 |
Otros nombres | SSM3K35AMFV,L3F(B SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFVL3F(B SSM3K35AMFVL3F(T SSM3K35AMFVL3FTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |