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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI1035X-T1-E3
VGS (th) (Max) @Id | 400mV @ 250µA (Min) |
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Paquete del dispositivo | SC-89-6 |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Potencia - Max | 250mW |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
Otros nombres | SI1035X-T1-E3CT SI1035XT1E3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA, 145mA |
Número de pieza base | SI1035 |