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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SQM100N02-3M5L_GE3
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-263 (D²Pak) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |