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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar EPC2015
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 9mA |
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Vgs (Max) | +6V, -5V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Paquete del dispositivo | Die Outline (11-Solder Bar) |
Serie | eGaN® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V |
La disipación de energía (máximo) | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | Die |
Otros nombres | 917-1019-2 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 20V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
Descripción detallada | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Ta) |