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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar LND150N8-G
VGS (th) (Max) @Id | - |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-89-3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
La disipación de energía (máximo) | 1.6W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-243AA |
Otros nombres | LND150N8-G-ND LND150N8-GTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 5 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | Depletion Mode |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
Descripción detallada | N-Channel 500V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |