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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar PDTA115ES,126
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
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VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
Serie | - |
Resistor - Base del emisor (R2) | 100 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Potencia - Max | 500mW |
embalaje | Tape & Box (TB) |
Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Otros nombres | 934058152126 PDTA115ES AMO PDTA115ES AMO-ND |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 1µA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 20mA |
Número de pieza base | PDTA115 |