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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IRFR18N15DTRR
Voltaje - Prueba | 900pF @ 25V |
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Tensión - Desglose | D-Pak |
VGS (th) (Max) @Id | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | HEXFET® |
Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
RDS (Max) @Id, Vgs | 18A (Tc) |
Polarización | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | IRFR18N15DTRR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 43nC @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.5V @ 250µA |
Característica de FET | N-Channel |
Descripción ampliada | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
Descripción | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 150V |
relación de capacidades | 110W (Tc) |