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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SPW11N60CFDFKSA1
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 500µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-TO247-3 |
Serie | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 440 mOhm @ 7A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
Otros nombres | SP000014534 SPW11N60CFD SPW11N60CFD-ND SPW11N60CFDIN SPW11N60CFDIN-ND SPW11N60CFDX SPW11N60CFDXK |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
Descripción detallada | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |