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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar STS6P3LLH6
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA (Min) |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 3A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.7W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | 497-15323-2 |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 24V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | P-Channel 30V 6A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |