La etiqueta y el marcado corporal de BDV64B se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar BDV64B
Tensión - Colector-emisor (máx) | 100V |
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VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | - |
Tipo de transistor | PNP |
Paquete del dispositivo | TO-218 |
Serie | - |
Potencia - Max | 125W |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-218-3 |
Otros nombres | BDV64BCS |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frecuencia - Transición | 60MHz |
Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218 |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Corriente - corte del colector (Max) | - |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 12A |