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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar APTM50DHM65T3G
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
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Paquete del dispositivo | SP3 |
Serie | POWER MOS 8™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 78 mOhm @ 42A, 10V |
Potencia - Max | 390W |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | SP3 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica de FET | Standard |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 51A |