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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar APTM100SK33T1G
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SP1 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 390W (Tc) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | SP1 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V |
Descripción detallada | N-Channel 1000V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |