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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IPD30N08S222ATMA1
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 80µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
Serie | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 50A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres | IPD30N08S2-22 IPD30N08S2-22-ND IPD30N08S222ATMA1TR SP000252169 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 75V |
Descripción detallada | N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |