La etiqueta y el marcado corporal de JAN2N6766 se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar JAN2N6766
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-3 |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-204AE |
Otros nombres | JAN2N6766-MIL |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |