La etiqueta y el marcado corporal de CSD13385F5 se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar CSD13385F5
VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | 8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 3-PICOSTAR |
Serie | FemtoFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 19 mOhm @ 900mA, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 3-XFDFN |
Otros nombres | 296-47751-2 CSD13385F5-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 35 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 674pF @ 6V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
Descripción detallada | N-Channel 12V 7.1A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.1A (Ta) |