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SIHF12N65E-GE3
- Mega fuente #: MEGA-SIHF12N65E-GE3
- Fabricante: Vishay / Siliconix
- embalaje: Bulk
- Descripción: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
- RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
- Datasheet:
Nuestra certificación
RFQ rápido
Existencias disponibles: 57520
Descripción del Producto
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Especificaciones
Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SIHF12N65E-GE3
| Voltaje - Prueba | 1224pF @ 100V |
|---|---|
| Tensión - Desglose | TO-220 Full Pack |
| VGS (th) (Max) @Id | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - |
| Estado RoHS | Bulk |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 12A (Tc) |
| Polarización | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | SIHF12N65E-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 650V |
| relación de capacidades | 33W (Tc) |
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SIHF12N65E-GE3 Preguntas frecuentes
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- F¿Son confiables las empresas de MEGA SOURCE?
- QHemos sido establecidos durante más de 20 años, centrándonos en la industria electrónica y nos esforzamos por proporcionar a los usuarios los productos IC de mejor calidad.
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- QMEGA SOURCE es el agente fuente, eliminando el intermediario, reduciendo el precio del producto en la mayor medida y beneficia a los clientes
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