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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI1402DH-T1-E3
VGS (th) (Max) @Id | 1.6V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SC-70-6 (SOT-363) |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 950mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 2.7A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |