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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IRFH3702TR2PBF
VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 25µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-PQFN (3x3) |
Serie | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 16A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
Otros nombres | IRFH3702TR2PBFCT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 42A (Tc) |