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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IPT60R150G7XTMA1
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 260µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PG-HSOF-8 |
Serie | CoolMOS™ G7 |
RDS (Max) @Id, Vgs | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 106W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerSFN |
Otros nombres | IPT60R150G7XTMA1TR SP001579346 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 902pF @ 400V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
Descripción detallada | N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |