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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar CSD17575Q3
VGS (th) (Max) @Id | 1.8V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-VSONP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta), 108W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
Otros nombres | 296-39994-2 CSD17575Q3-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 35 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4420pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |