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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar TPCP8103-H(TE85LFM
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PS-8 (2.9x2.4) |
Serie | U-MOSIII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs | 40 mOhm @ 2.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 840mW (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
Otros nombres | TPCP8103-H(TE85LFMCT |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
Descripción detallada | P-Channel 40V 4.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |