La etiqueta y el marcado corporal de SI4920DY-T1-E3 se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI4920DY-T1-E3
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA (Min) |
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Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.9A, 10V |
Potencia - Max | 2W |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | SI4920DY-T1-E3CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Número de pieza base | SI4920 |