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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar MB85R256GPF-G-BNDE1
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 150ns |
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Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Serie | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | FRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |