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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SI3459BDV-T1-E3
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Otros nombres | SI3459BDV-T1-E3-ND SI3459BDV-T1-E3TR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 33 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
Descripción detallada | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |