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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SIZ988DT-T1-GE3
VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
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Paquete del dispositivo | 8-PowerPair® |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
Potencia - Max | 20.2W, 40W |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 Weeks |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Standard |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |