La etiqueta y el marcado corporal de 2N7639-GA se pueden proporcionar después del orden.
Existencias disponibles: 55023
Estamos almacenando el distribuidor de 2N7639-GA con un precio muy competitivo.Echa un vistazo a 2N7639-GA más nuevo Pirce, inventario y tiempo de liderazgo ahora usando el formulario RFQ rápido.Nuestro compromiso con la calidad y la autenticidad de 2N7639-GA es inquebrantable, y hemos implementado estrictos procesos de inspección y entrega de calidad para garantizar la integridad de 2N7639-GA.También puede encontrar la hoja de datos 2N7639-GA aquí.
Componentes de circuito integrado de embalaje estándar 2N7639-GA
VGS (th) (Max) @Id | - |
---|---|
Vgs (Max) | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Paquete del dispositivo | TO-257 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
La disipación de energía (máximo) | 172W (Tc) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-257-3 |
Otros nombres | 1242-1150 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Tipo FET | - |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
Descripción detallada | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) (155°C) |