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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar DMN13H750S-7
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-23 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 750 mOhm @ 2A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 770mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres | DMN13H750S-7DITR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 130V |
Descripción detallada | N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |