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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IDT70P3307S233RMI
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
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Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Paquete del dispositivo | 576-FCBGA (25x25) |
Serie | - |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 576-BBGA, FCBGA |
Otros nombres | 70P3307S233RMI |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 4 (72 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 18Mb (1M x 18) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | SRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25) |
Frecuencia de reloj | 233MHz |
Número de pieza base | IDT70P3307 |
Tiempo de acceso | 7.2ns |