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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar SCH2080KEC
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 4.4mA |
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Vgs (Max) | +22V, -6V |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Paquete del dispositivo | TO-247 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
La disipación de energía (máximo) | 262W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
Otros nombres | SCH2080KECU |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 800V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 106nC @ 18V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V |
Descripción detallada | N-Channel 1200V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |