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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar BUZ32 E3045A
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 75W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres | BUZ32 E3045A-ND BUZ32E3045A BUZ32E3045AT SP000011346 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
Descripción detallada | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |