Lenguaje selectivo

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Haga clic en el espacio en blanco para cerrar)
CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesFDS8333C
FDS8333C

La etiqueta y el marcado corporal de FDS8333C se pueden proporcionar después del orden.

FDS8333C

Mega fuente #: MEGA-FDS8333C
Fabricante: AMI Semiconductor/onsemi
embalaje: Tape & Reel (TR)
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Datasheet:

Nuestra certificación

RFQ rápido

Existencias disponibles: 52573

Envíe RFQ, responderemos de inmediato.
( * es obligatorio)

Cantidad

Descripción del Producto

Estamos almacenando el distribuidor de FDS8333C con un precio muy competitivo.Echa un vistazo a FDS8333C más nuevo Pirce, inventario y tiempo de liderazgo ahora usando el formulario RFQ rápido.Nuestro compromiso con la calidad y la autenticidad de FDS8333C es inquebrantable, y hemos implementado estrictos procesos de inspección y entrega de calidad para garantizar la integridad de FDS8333C.También puede encontrar la hoja de datos FDS8333C aquí.

Especificaciones

Componentes de circuito integrado de embalaje estándar FDS8333C

VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs 80 mOhm @ 4.1A, 10V
Potencia - Max 900mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 282pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V
Tipo FET N and P-Channel
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A, 3.4A

FDS8333C Preguntas frecuentes

F¿Nuestros productos son de buena calidad?¿Hay garantía de calidad?
QNuestros productos a través de una detección estricta, para garantizar que los usuarios compren productos genuinos y seguros, si hay problemas de calidad, ¡pueden devolverse en cualquier momento!
F¿Son confiables las empresas de MEGA SOURCE?
QHemos sido establecidos durante más de 20 años, centrándonos en la industria electrónica y nos esforzamos por proporcionar a los usuarios los productos IC de mejor calidad.
F¿Qué tal el servicio posterior a la venta?
QMás de 100 equipo profesional de servicio al cliente, 7*24 horas para responder todo tipo de preguntas
F¿Es un agente?¿O un intermediario?
QMEGA SOURCE es el agente fuente, eliminando el intermediario, reduciendo el precio del producto en la mayor medida y beneficia a los clientes

20

Experiencia en la industria

100

Pedidos Calidad revisada

2000

Clientela

15,000

Almacén en stock
MegaSource Co., LTD.