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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IXFH130N15X3
VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 1.5mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-247 |
Serie | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 9 mOhm @ 65A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 390W (Tc) |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5230pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 150V |
Descripción detallada | N-Channel 150V 130A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |