La etiqueta y el marcado corporal de IXKC25N80C se pueden proporcionar después del orden.
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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IXKC25N80C
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 2mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | ISOPLUS220™ |
Serie | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 150 mOhm @ 18A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | - |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | ISOPLUS220™ |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | Super Junction |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
Descripción detallada | N-Channel 800V 25A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |