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IPD90N04S3H4ATMA1
- Mega fuente #: MEGA-IPD90N04S3H4ATMA1
- Fabricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- embalaje: Tape & Reel (TR)
- Descripción: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
- RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
- Datasheet:
Nuestra certificación
RFQ rápido
Existencias disponibles: 51788
Descripción del Producto
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Especificaciones
Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IPD90N04S3H4ATMA1
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 65µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 90A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 115W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | IPD90N04S3-H4 IPD90N04S3-H4-ND IPD90N04S3H4ATMA1TR SP000415584 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
| Descripción detallada | N-Channel 40V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
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IPD90N04S3H4ATMA1 Preguntas frecuentes
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