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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar 1N8034-GA
Tensión - inversa de pico (máxima) | Silicon Carbide Schottky |
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Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 9.4A (DC) |
Tensión - Desglose | TO-257 |
Serie | - |
Estado RoHS | Tube |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Resistencia @ Si, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
Polarización | TO-257-3 |
Otros nombres | 1242-1121 1N8034GA |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 0ns |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | 1N8034-GA |
Descripción ampliada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
configuración de diodo | 5µA @ 650V |
Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.34V @ 10A |
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 650V |
Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 250°C |