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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-RFA2G35S200-01SR3

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A2G35S200-01SR3

Mega fuente #: MEGA-A2G35S200-01SR3
Fabricante: Freescale / NXP Semiconductors
embalaje:
Descripción: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
RoHS:
Datasheet:

Nuestra certificación

RFQ rápido

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Descripción del Producto

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Especificaciones

Componentes de circuito integrado de embalaje estándar A2G35S200-01SR3

Voltaje - Prueba 48V
Tensión - Calificación 125V
Tipo de transistor LDMOS
Paquete del dispositivo NI-400S-2S
Serie -
Alimentación - Salida 180W
Paquete / Cubierta NI-400S-2S
Otros nombres 935320919118
Figura de ruido -
Ganancia 16.1dB
Frecuencia 3.4GHz ~ 3.6GHz
Descripción detallada RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Valoración actual -
Corriente - Prueba 291mA

A2G35S200-01SR3 Preguntas frecuentes

F¿Nuestros productos son de buena calidad?¿Hay garantía de calidad?
QNuestros productos a través de una detección estricta, para garantizar que los usuarios compren productos genuinos y seguros, si hay problemas de calidad, ¡pueden devolverse en cualquier momento!
F¿Son confiables las empresas de MEGA SOURCE?
QHemos sido establecidos durante más de 20 años, centrándonos en la industria electrónica y nos esforzamos por proporcionar a los usuarios los productos IC de mejor calidad.
F¿Qué tal el servicio posterior a la venta?
QMás de 100 equipo profesional de servicio al cliente, 7*24 horas para responder todo tipo de preguntas
F¿Es un agente?¿O un intermediario?
QMEGA SOURCE es el agente fuente, eliminando el intermediario, reduciendo el precio del producto en la mayor medida y beneficia a los clientes

20

Experiencia en la industria

100

Pedidos Calidad revisada

2000

Clientela

15,000

Almacén en stock
MegaSource Co., LTD.