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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar NSV40302PDR2G
Tensión - Colector-emisor (máx) | 40V |
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VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
Serie | - |
Potencia - Max | 653mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 3A |