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Componentes de circuito integrado de embalaje estándar IXFK200N10P
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-264AA (IXFK) |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 830W (Tc) |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | TO-264-3, TO-264AA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 235nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |